Продукция- Подробная информация

Для выращивания 4” GaAs монокристаллов согласно процессу Vertical Gradient Freeze (VGF)

Важные характеристики 

• Печь с нагревательными элементами сопротивления, дизайн колпаковой печи
• Выращивание 4” GaAs монокристаллов
• Полезный объем: диаметр110 мм, высота 640 мм
• 8 зон нагрева, подлежат индивидуальному контролю
• Максимальная рабочая температура 1500°C
• Мощность нагрева 12 кВт
• Технологический газ: аргон, возможно создание форвакуума
• Автоклав с максимальным рабочим давлением в 10 бар
• Терморегуляторы контроля в среде зародыша кристалла
• Труба из Al2O3 - для однородности температуры, ампула из кварцевого стекла -  для защиты нагревателя
• Полностью автоматизированный сенсорный экран с ПЛК
• Точность температуры +/- 0.2 K
• Охлаждающая плита в автоклаве, чтобы регулировать вертикальный тепловой ток
• Подготовлена для последующего обновления аппаратного или программного обеспечения для кристалла в 6” 

Мы делаем возможным 

Фирма Linn High Therm – специалист адаптировать свою продукцию согласно желанию клиента. Пожалуйста, сообщите нам, если Вам необходимо видоизменение стандартного предложения. Мы сделаем все, чтобы исполнить Ваше желание.

Возможные стандартные опции 

• Аварийное охлаждение водой
• Программное обеспечение
• Дизайн загрузки снизу
• Циркуляционный охладитель
• Моделирование процессов VGF для выращивания 2”, 4” и 6”
• Обучение выращиванию кристаллов известным немецким научно-исследовательским институтом
• 2” нагревательный элемент
• 6” нагревательный элемент