50 Jahre Expertenwissen und stetige Innovation: Unsere ausgereiften Produkte finden Sie überall dort, wo Wärmebehandlung stattfindet.
Linn High Therm stellt Anlagen für die Kristallzucht von III/V Verbindungshalbleiter wie Galliumarsenid und Indiumphosphid her. Die Anlagen sind mit Multizonenheizern ausgestattet und arbeiten nach den VGF – Verfahren (Vertical Gradient Freeze). Durchmesser bis 6 Zoll sind möglich.
Für die Herstellung von Siliziumkarbid-Einkristallen werden induktiv beheizte Sublimationsreaktoren von LHT verwendet. Kristalldurchmesser bis zu 4 Zoll können produziert werden.
Auf Basis von Standard und Sonderrohröfen der Baureihen FRV/FRH baut LHT Anlagen für die gerichtete Erstarrung nach dem Bridgman - Stockbarger Verfahren.
Große induktiv beheizte Anlagen von LHT werden zum gerichteten Erstarren von Nichteisenmetallen sowie zur Zonenreinigung von Germanium eingesetzt.
Rohrofen, Hochtemperatur, gasdicht und/oder vakuumdicht, Ø 25 - 150 mm, beheizte Länge 150 - 1000 mm, Tmax 1800 °C
Kammerofen, Hochtemperatur, gasdicht, Tmax 2100 °C, 3-52,5 l
Kammerofen, Hochtemperatur, gas- und vakuumdicht, Tmax 1950 °C, 4 - 52,5 l
Hochfrequenz-Generator, 1,2 - 10 kW, 150 - 400 kHz
Mittelfrequenz-Generator, 10kW - 1MW, 5 - 100 kHz
Bridgman Ofen zur gerichteten Erstarrung
VGF Ofen für 4” GaAs EinKristallzucht
Reaktor für 4” SiC Einkristallzucht durch Sublimationswachstum
Hochfrequenz-Röhrengenerator, Elektrononenröhre, 300-800 kHz, 100 kW