Фирма Linn High Therm изготавливает установки для выращивания кристаллов полупроводников смешанного типа III/V, как например, арсенида галлия и фосфида индия. Установки оснащены многозональными нагревателями и работают согласно методу VGF (метод вертикальной направленной кристаллизации). Размеры диаметра могут достигать 6 дюймов.
Для производства монокристалла карбида кремния используют сублимационные реакторы с индукционным нагревом фирмы Linn High Therm. Возможно производство кристалла диаметром до 4 дюймов.
На основе стандартных и специальных печей серии FRV/FRH фирма Linn High Therm производит установки для направленной кристаллизации согласно методу Стокбаргера-Бриджмена.
Крупные установки с индукционным нагревом фирмы Linn High Therm используют для направленной кристаллизации цветных металлов, а также для зонной очистки германия.
Камерная печь, изолированная волокном, высокотемпературная, газоплотная, максимальная температура 2100 °C, полезный объем 3-52,5 л.
Камерные печи, высокотемпературные, изолированные волокном, газоплотные и вакуумплотные, максимальная температура 1950 °C, полезный объем 4 - 52,5 л.
Трубчатая печь серии FRH / FRV, изолированная волокном, высокотемпературная, газоплотная и/или вакуумплотная, внутреннийØ 25 - 150 мм, длина нагрева 150 - 1000 мм, максимальная температура 1800 °C.
Высокочастотный генератор, 1,2 - 10 квт, 150 - 400 кгц
Среднечастотный генератор, 10 квт – 1мвт, 5 - 100 кгц
Печь Бриджмена для направленной кристаллизации
Печь VGF для выращивания 4” GaAs монокристалла
Реактор для выращивания 4” монокристалла карбида кремния благодаря сублимационному росту
High frequency generator, electron tube type, 300-800 kHz, 100 kW